设备概述：

本碳化硅专用氧化炉为半导体行业碳化硅基底表面氧化、SiO₂绝缘层生长专用高温气氛炉，采用密闭管式炉体结构，精准控制高温、氧气氛围与升温曲线，专为碳化硅晶圆、碳化硅器件表面制备高质量氧化涂层设计，整机洁净度高、温场均匀、工艺重复性好，适配半导体精密制程量产与研发试验。

设备用途

用于半导体碳化硅晶圆、功率器件表面热氧化，制备 SiO₂绝缘涂层，实现器件绝缘钝化与界面改性，服务 SiC 功率半导体研发与生产。

技术特点：

·  适配 SiC 专属氧化工艺，专为碳化硅材料热氧化生长 SiO₂绝缘层定制，氧化层致密均匀、缺陷率低。

·  高精密恒温控温，采用多级温区独立控温，炉内温场一致性优异，满足半导体涂层工艺严苛要求。

·  高洁净密闭腔体，无油污无污染结构，避免杂质掺杂，保障半导体工艺纯度。

·  精准气氛流量控制，可精准通入高纯工艺、惰性保护气体，支持干氧、湿氧多种 SiC 氧化工艺。

·  可编程工艺曲线，可预设升温、恒温、降温完整制程程序，全自动运行，工艺可固化、可复刻。

·  安全防护完善，超温、超压、断气、过载多重连锁保护，适配半导体车间安全生产规范。