用途：

氮化硅（Si₃N₄）烧结炉，专为高性能氮化硅陶瓷设计的高端烧结装备

特点：

氮化硅烧结炉工作温度高达1800-2200℃，满足氮化硅常压烧结（PLS）、气压烧结（GPS）及反应烧结（RBSN）需求。

温度均匀性±5℃（恒温区），确保材料致密性与相纯度（β-Si₃N₄含量＞95%）。

多气氛精准控制

惰性气体（N₂/Ar）：防止氮化硅高温分解。

真空/加压选项：支持0.1-10MPa气压烧结，提升密度至理论值99%以上。

智能化系统

多段程序控温：可存储50组工艺曲线，升降温速率1-20℃/min可调。

安全监测：实时检测氧含量（＜10ppm）、压力波动，异常自动保护。

工业级耐用性

石墨发热体+MoSi₂涂层：抗高温氧化，寿命＞5000小时。

模块化设计：快速更换炉膛，维护成本降低30%。

技术参数：

产品展示：