设备概述：

SWCNT CVD生产炉是一种专用于高质量单壁碳纳米管合成的先进设备，通过催化裂解碳源气体在基底表面生长SWCNT。其核心优势在于手性选择性控制和规模化生产能力，适用于科研机构、半导体及新能源材料企业。

技术特点：

项目 技术指标

温度范围 600-1200℃（分段控温±1℃）

碳源气体 CH₄/C₂H₂/CO/乙醇（纯度≥99.999%）

催化剂系统 Fe/Co/Mo纳米颗粒（1-5nm）

载气/蚀刻气 H₂/Ar/N₂（比例可调）

生长基底 Si/SiO₂/石英/金属箔（可选）

真空系统 机械泵+分子泵（极限5×10⁻⁴ Pa）

产能（连续模式） 5-20g/h（卷对卷可达50g/h）

技术参数(可接受非标定制）：

产品展示：